位置:首页 > IC中文资料第11406页 > TSC128DCZ
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TSC128DCZ | HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor 文件:324.81 Kbytes Page:5 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | ||
HighVoltageNPNTransistorwithDiode 文件:214.33 Kbytes Page:6 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半 台湾半导体股份有限公司 | |||
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component18X1COND a)Conductor24(7/32)AWGBareCopper0.024 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC,SemiRigid0.044 (1)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1WHITE4YELLOW7BLUE 2BROWN5SLATE8RED 3GREEN6PINK 2)CableAssembly8Component | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
UltraHighFrequencyTransistorArrays 文件:298.68 Kbytes Page:13 Pages | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | |||
TemperatureSensorsLineGuide 文件:736.09 Kbytes Page:11 Pages | HoneywellHoneywell Sensing and Productivity Solutions 霍尼韦尔霍尼韦尔国际 | |||
WihaQualityToolsTollFree:(800)494-6104 文件:256.26 Kbytes Page:1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | |||
WihaInsulated1/4Sockets&Sets 文件:259.62 Kbytes Page:1 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |
TSC128DCZ产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSC128DCZ
- 功能描述
两极晶体管 - BJT High Vltg NPN Transistor w/ diode
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TSC128DCZ规格书下载地址
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