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TSAL7200_V02

HighPowerInfraredEmittingDiode,940nm,GaAlAs,MQW

FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Peakwavelength:p=940nm •Highreliability •Highradiantpower •Highradiantintensity •Angleofhalfintensity:=±17° •Lowforwardvoltage •Suitableforhighpulsecurrentoperation •Goodsp

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-15 13:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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