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TSAL7200_V02

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: p = 940 nm • High reliability • High radiant power • High radiant intensity • Angle of half intensity:  = ± 17° • Low forward voltage • Suitable for high pulse current operation • Good sp

VishayVishay Siliconix

威世科技

更新时间:2025-10-1 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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