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TSAL7200_V02

High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW

FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: p = 940 nm • High reliability • High radiant power • High radiant intensity • Angle of half intensity:  = ± 17° • Low forward voltage • Suitable for high pulse current operation • Good sp

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-1-29 21:08:00
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