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TSA20N60MR

Planar MOSFET

TRUESEMI

信安半导体

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2026-1-28 13:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TRUESEMI
24+
TO-247
60000
TOSHIBA
23+
ZIP5
50000
全新原装正品现货,支持订货
TRUESEMI
24+
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TOSHIBA/东芝
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Truesemi(信安)
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JXND
24+
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