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UHF power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar transistor in a 2-lead SOT460A flange package with a ceramic cap. The emitter is connected to the flange. FEATURES • Emitter ballasting resistors for optimum temperature profile • Gold metallization ensures excellent reliability • Internal input and output match

PHILIPS

飞利浦

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime

POLYFET

DUAL CURRENT-LIMITED POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

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TI

德州仪器

4-PORT HUB FOR THE UNIVERSAL SERIAL BUS WITH OPTIONAL SERIAL EEPROM INTERFACE

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TI

德州仪器

4-PORT HUB FOR THE UNIVERSAL SERIAL BUS WITH OPTIONAL SERIAL EEPROM INTERFACE

文件:230.97 Kbytes Page:16 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-5-24 16:01:01
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