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MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS??H)

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TOSHIBA

东芝

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators • DC-DC Converters Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 2.5 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.2 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (5) Enhancement

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东芝

更新时间:2025-12-8 23:01:01
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