产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVD
