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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators •DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=4.3nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancementm

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators •DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=4.3nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancementm

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东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-5-11 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3765
原装现货,当天可交货,原型号开票
TOSHIBA/东芝
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