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TPN1R603PL

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 23 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

TPN1R603PL

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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NA/
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TOSHIBA/东芝
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