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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators •DC-DCConverters Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.5nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=10.2mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (5)Enhancement

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??H)

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 20:00:01
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