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TPH8R808QM

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 8.6 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 31 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.8 mΩ (typ.) (VGS = 10 V

TOSHIBA

东芝

TPH8R808QM

Power MOSFET (N-ch single 60V

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-13 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝
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