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TPH4R50ANH1

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 79 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

TPH4R50ANH1

Power MOSFET (N-ch single 60V

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-18 20:00:00
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