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TPH2R608NH

MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 75 V) (5) E

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-15 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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