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MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 26 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) (5)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-11 20:39:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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