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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TPESD03B8AP | 1-Line Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 3.3V/ » Ultra low capacitance: 15pF (Typ) o Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage « IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test | Air discharge: +30kV/ Contact discharge: +30kV ~IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) ~IEC61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20ps) o | TECHPUBLIC 台舟电子 |   | |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：115.32 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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更新时间：2025-11-20 17:17:00
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