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TPC8123	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications PowerManagementSwitchApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=36S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •En	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TPC8123	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
TPC8123	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
8123	RingandSpadeTerminals 文件：187.51 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科
AAC-A8123-B	LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT 文件：125.9 Kbytes Page：4 Pages	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司
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AAC-A8123-C	LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT 文件：125.9 Kbytes Page：4 Pages	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司

TPC8123产品属性

类型
描述
型号
TPC8123
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOSⅥ)

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更新时间：2025-5-11 23:00:00

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2021-11-26
TPC8010-H 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
TPA6211A1TDGNRQ1
技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
2021-10-12
TPA6203A1GQVR
SOIC-8音频放大器，H类音频放大器，音量控制音频放大器，音频放大器音频放大器，SOIC-8LM4876音频放大器，音频功率放大器AB类音频放大器
2020-7-21

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