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TPC6601	丝印代码：H3A；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC6601	Power transistor for high-speed switching applications Polarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Collector Current IC -2 A \nCollector Current ICP -3.5 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 1.6 W \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC6601	Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 文件：158.39 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MPS6601	Amplifier Transistors Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MPS6601	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6601G	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6601RLRA	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6601RLRAG	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2026-5-13 19:55:00

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TPCDSOT23-SM712
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2022-10-17
TPC8207
TPC8207
2021-11-26
TPC8010-H 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
TPA6211A1TDGNRQ1
技术参数耗散功率2.13 W 静态电流4.00 mA 输出功率3.10 W 工作温度(Max)105 ℃ 工作温度(Min)-40 ℃ 耗散功率(Max)2130 mW 电源电压2.5V ~ 5.5V 封装参数安装方式Surface Mount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃ ~ 105℃ (TA) 其他产品生命周期Active
2021-10-12
TPA6203A1GQVR
SOIC-8音频放大器，H类音频放大器，音量控制音频放大器，音频放大器音频放大器，SOIC-8 LM4876音频放大器，音频功率放大器AB类音频放大器
2020-7-21
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2019-9-26