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TPC6109-H	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TPC6109-H	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
TPC6109-H	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(Ultra-High-SpeedU-MOSIII) 文件：264.9 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
6109PBG	Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfins Channelstyleheatsinkwithfoldedbackfinsforincreasedcoolingsurfacearea.Availablewithtinplatedsolderabletabsforeasyattachmenttotheprintedcircuitcard.	AAVID Aavid, Thermal Division of Boyd Corporation
AWT6109	KPCSCDMA3.5V/28.5dBmLinearPowerAmplifierModule PRODUCTDESCRIPTION TheAWT6109isa3.5V(3.0Vto4.2V)highefficiency,3stageamplifiermoduleforKoreanBandPCShandsets.ThedeviceismanufacturedonanadvancedInGaPHBTMMICtechnologyofferingstate-of-the-artreliability,temperaturestability,andruggedness.Fulloutputpoweri	ANADIGICS ANADIGICS, Inc
6109	THEBREADBOARDINGMEDIUMFORSURFACEMOUNT 文件：160.1 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
6109	44PinSOICClipTestClip 文件：38 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
6109PBG	HowtoUseThisCatalog 文件：8.73467 Mbytes Page：116 Pages	AAVID Aavid, Thermal Division of Boyd Corporation

TPC6109-H产品属性

类型
描述
型号
TPC6109-H
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(Ultra-High-Speed U-MOSIII)

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更新时间：2025-5-14 16:18:00

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技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
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