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ASA65R150E	MOSFETSiliconN-ChannelMOS Applications BoostPFCswitch,single-endedflybackortwo-transistorforward, HalfbridgeorAsymmetrichalfbridgeorSeriesresonancehalfbridgetopologies. PCpower,Adaptor,LCD&PDPTV,LEDLighting,Serverpower, Telecompower,andUPSApplication. Features Lowdrain-sourceon-resis	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司
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IPA65R150CFD	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.650VCoolMOS™MCFD2series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhigh classinnovation.Th	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
IIPP65R150CFD	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：338.54 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IIPW65R150CFD	N-ChannelMOSFETTransistor 文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间：2025-5-13 22:30:01

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TPA6211A1TDGNRQ1
技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
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TPA6203A1GQVR
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