500mA 线性锂离子电池充电器

TP4062 是一款完整单节锂离子电池充电器， 带电池正负极反接保护， 具有更大500mA 的充电电流，更稳定的电流一致性。其采用恒定电流/恒定电压线性控制，SOT23-6 封装与较少的外部元件数目使得TP4062 成为便携式应用的理想选择。\n\nTP4062 采用了内部PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压固定于4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电进入恒压阶段时，充电电流会自动减小。当充电电流降至设定值的1/10时，指示灯转灯，但充电电流不 ·锂电池正负极反接保护；\r\n·高达 500mA 的可编程充电电流；\r\n·充满转灯后充电电流逐渐减小并保持电池4.2V电压；\r\n·无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管；\r\n·用于单节锂离子电池\r\n·恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调 节功能；\r\n·可直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电；\r\n·精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压；\r\n·最高输入可达 9V；\r\n·2 个充电状态开漏输出引脚；\r\n·待机模式下的供电电流为 50uA；\r\n·2.9V涓流充电器件版本；\r\n·软启动限制了浪涌电流;

3mA-600mA 线性锂离子电池充电器

TP4065 是一款完整的单节锂电池充电器,世界首创带电池正负极反接保护、输入电源正负极反接保护的单芯片,兼容大小3mA-600mA 充电电流。采用涓流、恒流、恒压控制,SOT23-5 封装与较少的外部元件数目使得TP4065 成为便携式应用的理想选择。TP4065 可以适合USB 电源和适配器电源工作。\n\n由于采用了内部PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压为：4.2V。充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当电池达到预设电压之后,充电电流降至设定值1/10 • 兼容大小 3mA-600mA 的可编程充 电电流；\r\n• V CC 输入端反接保护；\r\n• 锂电池正负极反接保护；\r\n• 用于单节锂离子电池；\r\n• 电源自适应；\r\n• 具有可在无过热危险的情况下实 现充电速率最大化的热调节功能；\r\n• 带涓流、恒流、恒压控制；\r\n• 可直接从 USB 端口给电池充电；\r\n• 精度达到±1%的预设充电电压；\r\n• 最高输入可达 8.0V；\r\n• 自动再充电；\r\n• 1 个充电状态开漏输出引脚；\r\n• C/10 充电终止；\r\n• 待机模式下的供电电流为 65μA；\r\n• 软启动限制了浪涌电流；\;

1A 线性锂离子电池充电器

TP4066 是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器，带电池正负极反接保护、输入电源正负极反接保护。其底部带有散热片的ESOP8/DFN2*2-8 封装与较少的外部元件数目使得TP4066 成为便携式应用的理想选择。TP4066 可以适合USB 电源和适配器电源工作。\n\n由于采用了内部PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充满电压可分为三档：4.35V，4.2V，3.7V。而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值1/1

800mA linear lithium-ion battery charger

文件：878.84 Kbytes Page：14 Pages

3mA-600mA Linear Li-Ion Battery Charger

文件：699.68 Kbytes Page：14 Pages

3mA-600mA Linear Li-Ion Battery Charger

文件：736.4 Kbytes Page：14 Pages

POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W)

7 AMPERE POWER TRANSISTOR 150 - 200 VOLTS 60 WATTS

7 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 60 WATTS 150 and 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s. • High Voltage: VCEV = 330 or 400 V • Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A • Packaged in Compact JEDEC TO–220AB

IN-LINE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amperes)

FEATURES • Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Ideal for printed circuit board • Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique • Surge overload rating: 200 Amperes peak • Pb free product are available : 99 Sn above can meet Rohs

Wideband, Low Power Monolithic Op Amp

文件：432.11 Kbytes Page：6 Pages

Wideband, Low Power Monolithic Op Amp

文件：432.11 Kbytes Page：6 Pages

CMOS 8-INPUT NAND AND GATE

CMOS 8-INPUT NAND AND GATE

8-INPUT NAND/AND GATE

8-input NAND Gate

8-input NAND gate

8-input NAND gate

B-Suffix Series CMOS Gates

B-Suffix Series CMOS Gates

B-Suffix Series CMOS Gates

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

INPUT NAND GATE