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Double-EndedCordsets

BCCM324-M414-3E-304-VX44T2-006 Basicfeatures Approval/ConformityCE cULus WEEE

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴鲁夫巴鲁夫集团

Balluff

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 40V,439A,RDS(ON)=0.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

LOWCAPACITANCETVSARRAY

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PROTEC

Protek Devices

PROTEC
更新时间:2025-7-19 16:39:01
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