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CEZS05C4

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V, 439A, RDS (ON) = 0.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free.

CET-MOS

华瑞

CEZS05C4

N Channel Product

CET

华瑞

Double-Ended Cordsets

BCC M324-M414-3E-304-VX44T2-006 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE

Balluff

巴鲁夫

LOW CAPACITANCE TVS ARRAY

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PROTEC

更新时间:2025-10-10 11:43:00
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