| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.38Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? 文件：256.7 Kbytes Page：10 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection 文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  | |
更新时间：2025-7-22 17:55:01
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