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RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

SILICONNPNTRANSISTOREPITAXIALPLANARTYPE(FORMUTINGANDSWITCHING)

FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=25V(Min.) •HighReversehFE :ReversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) •LowonResistance:RON=1Ω(Typ.),(IB=5mA)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

350MHzCenterFrequency

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KRKR Electronics, Inc.

KR Electronics, Inc.

KR

350MHzCenterFrequency

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KRKR Electronics, Inc.

KR Electronics, Inc.

KR

BQDfilterdesignequations

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-22 14:36:01
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