GMR-Based Dual Die Angle Sensor

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XENSIV ™ - TLE5012BD E9200 磁角度传感器，带双向 SSC 接口

TLE5012BD 是一款完全冗余 360°角度传感器，可检测磁场的方向。这是通过使用单片集成巨磁阻 (iGMR) 元件测量正弦和余弦角分量来实现的。\n 使用内部自动校准算法在广泛的温度范围和较长的使用期限内确定高精度角度值。\n 数据通信通过与 SPI 兼容的双向同步串行通信 (SSC) 完成。\n 绝对角度值和其他值通过 SSC 或脉冲宽度调制 (PWM) 协议传输。也可以读出正弦和余弦原始值。这些原始信号在内部经过数字处理，以计算磁场（磁体）的角度方向。\n TLE5012BD 是经过预先校准的传感器。校准参数存储在激光熔丝中。启动时，熔 • 基于巨磁阻 (GMR) 的原理\n• 完全冗余设计，有两个传感器 IC 在一个封装中\n• 用于角度测量的集成磁场感应\n• 360°角度测量，带转速计和角速度测量\n• 两个独立的高精度单比特 SD-AD\n• 在输出上使用 15 位绝对角度值表示法（0.01°的分辨率）\n• 在接口上使用 16 位正弦/余弦值表示法\n• 激活自动校准，在使用期限和温度范围内产生最大 1.0°的角度误差\n• 高达 8Mbit/s 的双向 SSC 接口\n• 支持具有诊断功能和状态信息的安全完整性等级 (SIL)\n• 接口：SSC、PWM、增量接口 (IIF)、霍尔开关模式 (HSM)、短 PWM ;

SPI/IIF, GMR, Dual SMD

XENSIV™-TLE5012BD E1200 magnetic angle sensor, fully redundant design with two sensor ICs in one package • Giant Magneto Resistance (GMR)-based principle\n• Integrated magnetic field sensing for angle measurement\n• 360° angle measurement with revolution counter and angle speed measurement\n• Two separate highly accurate single bit SD-AD\n• 15 bit representation of absolute angle value on the output (r;

SPI/SPC, GMR, Dual SMD

XENSIV™- TLE5012BD E9200 magnetic angle sensor with bi-directional SSC interface • Giant Magneto Resistance (GMR)-based principle\n• Fully redundant design with two sensor ICs in one package\n• Integrated magnetic field sensing for angle measurement\n• 360° angle measurement with revolution counter and angle speed measurement\n• Two separate highly accurate single bit SD-AD\n• 1;

封装/外壳：16-TSSOP（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：SPEED SENSORS 16TDSO 传感器，变送器 位置传感器 - 角度、线性位置测量

封装/外壳：16-TSSOP（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：SPEED SENSORS 16TDSO 传感器，变送器 位置传感器 - 角度、线性位置测量

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

POWER MOS IV® SINGLE DIE ISOTOP® PACKAGE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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Zener Diode, 1/2 Watt 짹5 Tolerance

Features: ● Zener Voltage 2.4 to 200V ● DO35 Package