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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

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3M

更新时间:2025-12-29 16:57:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SE
25+
SOT-23-6L
15000
全新原装现货,价格优势
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TSSOP8
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23+
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25+
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原厂封装
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公司存货

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