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Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 40V, 6.1A, RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 46mΩ @VGS = 4.5V. ■ -40V, -5.2A, RDS(ON) = 43mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability

CET

华瑞

CLEAR THRU-HOLE SPACER

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Nytye®Mounting Platforms

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Heyco

AEC-Q100 Qualifies

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ROHM

罗姆

AEC-Q100 Qualifies

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-29 18:09:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CETSEMI
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SOP-8
50000
只做原装正品
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明嘉莱只做原装正品现货
SR
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    搜索代替器件 技术参数 输出接口数1 输入电压(DC)4.50V ~ 42.0V 输出电压16 V 输出电流476 mA 供电电流22000 mA 针脚数8 输入电压(Max)42 V 输入电压(Min)4.5 V 输出电压(Max)16 V 输出电压(Min)0.4 V 输出电流(Max)500 mA 工作温度(Max)150 ℃ 工作温度(Min)-40 ℃ 电源电压4.5V ~ 42V 电源电压(Max)42 V

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    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商

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