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TK7E80W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.795Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.28mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TK7E80W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-15 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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