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N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Switching Regulator Applications ● Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) ● Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) ● Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

TK30A06J3(Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK30A06J3(Q)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V, 30A, RDSON=0.026OHM - Rail/Tube

更新时间:2026-1-30 11:48:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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