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N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

SwitchingRegulatorApplications ●Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=34S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=60V) ●Enhancementmode:Vth=1.3to2.5V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-7-15 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/韩国太虹
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原装现货假一罚十
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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18000
原装正品 有挂有货 假一赔十

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