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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

SwitchingRegulatorApplications

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralFeatures VDS=-60V,ID=-1.9A RDS(ON)

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

2.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers

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DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

DYELEC
更新时间:2025-7-15 18:27:01
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