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MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.175 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with the lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.61 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-2-5 11:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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