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TK190E60Z1

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.158Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.48mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 11:10:00
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