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TK17E65W

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.17Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.9mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TK17E65W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更新时间:2025-7-17 17:30:00
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