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TK110E10PL,S1XS

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=9.3nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=32nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=9.0mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-19 18:19:00
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