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TK110E10PL,S1XS中文资料

厂家型号

TK110E10PL,S1XS

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575.49Kbytes

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9

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TK110E10PL,S1XS数据手册规格书PDF详情

Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

• Motor Drivers

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 9.3 nC (typ.)

(3) Small output charge: Qoss = 32 nC (typ.)

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 9.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(5) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V)

(6) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

更新时间:2025-11-2 9:30:00
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