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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V.

CET-MOS

华瑞

N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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ONSEMI

安森美半导体

N?묬hannel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 16:20:01
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
TI
24+
VQFN40
6618
公司现货库存,支持实单
CEPRI
21+
QFP64
7500
只做原装所有货源可以追溯原厂

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    TIP122,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • TIR1000PSR汇景欣电子

    主要参数: 集成电路(IC) 接口 - 编码器,解码器,转换 类型: 红外线编码器/解码器 电压 - 电源,模拟: 2.7V ~ 5.5V 电压 - 电源,数字: 2.7V ~ 5.5V 安装类型: 表面贴装型 封装: 8-SOIC(0.209,5.30mm 宽)

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