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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB22N06 | N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTB22N06 | N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N?묬hannel Power MOSFET 文件：200.14 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N?묬hannel Power MOSFET 文件：200.14 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTB22N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB22N06
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
20+ |
SO-263 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON |
24+/25+ |
313 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON/安森美 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
38000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
ON |
2023+ |
D2PAK |
50000 |
原装现货 |
|||
ONSEMICONDU |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
NTB22N06规格书下载地址
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