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位置：首页 > IC中文资料第2273页 > TIP141T

TIP141T晶体管资料

  • TIP141T别名：TIP141T三极管、TIP141T晶体管、TIP141T晶体三极管

  • TIP141T生产厂家：

  • TIP141T制作材料：Si-N+Darl+Di

  • TIP141T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • TIP141T封装形式：直插封装

  • TIP141T极限工作电压：80V

  • TIP141T最大电流允许值：10A

  • TIP141T最大工作频率：<1MHZ或未知

  • TIP141T引脚数：3

  • TIP141T最大耗散功率：125W

  • TIP141T放大倍数：β>1000

  • TIP141T图片代号：B-71

  • TIP141Tvtest：80

  • TIP141Thtest：999900

  • TIP141Tatest：10

  • TIP141Twtest：125

  • TIP141T代换 TIP141T用什么型号代替：BDT63A,BDT63B,BDT63C,BDW93B,BDW93C,BDX33B...E,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TIP141T

POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W)

DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP

MOSPEC

MOSPEC

MOSPEC
TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW
TIP141T

NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor

Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
TIP141T

SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
TIP141T

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

文件：253.42 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
TIP141T

MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors

文件：574.33 Kbytes Page：5 Pages

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TAI-SAW
TIP141T

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRANS NPN DARL 80V 10A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
TIP141T_09

NPNEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor

文件：314.92 Kbytes Page：5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
141

MOLDED/POTTEDINSERTS,SNAP-INTYPEMEDIUMDUTY

文件：130.44 Kbytes Page：1 Pages

WITTEN

Witten Company, Inc.

WITTEN
141B

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages

HAMMOND

Hammond Manufacturing Ltd.

HAMMOND
141B

P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件：395.74 Kbytes Page：2 Pages

HAMMOND

Hammond Manufacturing Ltd.

HAMMOND
141D

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件：376.28 Kbytes Page：2 Pages

HAMMOND

Hammond Manufacturing Ltd.

HAMMOND
141D

P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件：395.74 Kbytes Page：2 Pages

HAMMOND

Hammond Manufacturing Ltd.

HAMMOND

TIP141T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIP141T

  • 功能描述

    达林顿晶体管

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

TIP141T供应商更多...

更新时间：2024-4-26 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
TIP141T
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TIP141T
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TIP141T规格书下载地址

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    TIP122,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    主要参数： 集成电路（IC） 接口-编码器，解码器，转换 类型：红外线编码器/解码器 电压-电源，模拟：2.7V~5.5V 电压-电源，数字：2.7V~5.5V 安装类型：表面贴装型 封装：8-SOIC（0.209，5.30mm宽）

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