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TIM1314-8UL

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 39.0dBm at 13.75GHz to 14.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 13.75GHz to 14.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -45dBc at Pout= 27.0dBm Single Carrier Level ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

13.75-14.5GHz, 8W Internally Matched Power FET

13.75-14.5GHz, 8W Internally Matched Power FET • 13.75-14.5GHz BANDWIDTH AND INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHED TO 50 OHM • HIGH PAE(25 TYPICAL) • +39dBm TYPICAL P1dB OUTPUT POWER • 7.0dB TYPICAL G1dB POWER GAIN • NON-HERMETIC METAL FLANGE PACKAGE

Excelics

13.75-14.5 GHz 8-Watt Internally Matched Power FET

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Excelics

X, Ku-Band Internally Matched FET

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EUDYNA

更新时间:2025-10-20 15:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA/东芝
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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