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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TIC108M-S

封装/外壳:TO-220-3 包装:散装 描述:SCR 600V 5A TO220 分立半导体产品 晶闸管 - SCR

ETC

知名厂家

200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL

Logic Level TMOS N–Channel Enhancement Mode This TMOS FET is designed for high voltage, high speed switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, microprocessor or TTL to high voltage interface and high voltage display drivers. • Low Drive Requirement, VGS = 3

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HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(1.0A,600-1000V)

Switchmode Power Rectifiers . . . Designed for use in switching power supplies. These state-of-the-art devices have the fllowing features: * High Surge Capacity * Low Power Loss, High efficiency. * Glass Passivated chip junctions * 150°C Operating Junction Temperature * Low Stored Charge

MOSPEC

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Operational Amplifiers

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国半

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国半

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NSC

国半

TIC108M-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIC108M-S

  • 功能描述

    双向可控硅 600V 5A SCR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 开启状态

    RMS

  • 电流(It_RMS)

    16 A

  • 不重复通态电流

    120 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态电压

    保持电流(Ih

  • 最大值)

    45 mA

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 栅触发电流(Igt)

    1.75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220AB

更新时间:2026-8-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bourns Inc.
25+
TO-220
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
TI(德州仪器)
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10000
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TI/德州仪器
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