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BS108中文资料

厂家型号

BS108

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4

功能描述

200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL

MOSFET 200V 250mA Logic

数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

BS108数据手册规格书PDF详情

Logic Level TMOS

N–Channel Enhancement Mode

This TMOS FET is designed for high voltage, high speed switching applications such as line drivers, relay drivers, CMOS logic, microprocessor or TTL to high voltage interface and high voltage display drivers.

• Low Drive Requirement, VGS = 3.0 V max

• Inherent Current Sharing Capability Permits Easy Paralleling of many Devices

BS108产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BS108

  • 功能描述

    MOSFET 200V 250mA Logic

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-17 16:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
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