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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C

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UTC

20A竊?00VN-CHANNELMOSFET

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KIA

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UTC

400V,20AN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2025-7-14 8:01:01
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原装现货价格有优势量大可以发货
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