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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Description TheACE4446BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.Thesourceleadsareseparatedtoallowakelvinconnectiontothesource,whichmaybeusedtobypassthesourceind

ACE

ACE Technology Co., LTD.

ACE

30VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAO4446usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseinPWMapplications. ProductSummary VDS(V)=30V ID=15A(VGS=10V) RDS(ON)

WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd

万和兴电子深圳万和兴电子有限公司

WHXPCB

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4446usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseinPWMapplications.StandardProductAO4446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). AO4446LisaGreenProdu

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

30VN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2025-7-14 17:59:01
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