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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOD4189usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-40V ID=-40A(VGS=-

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

P-Channel40V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

Lockit™LoopsandClips

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海科

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TheSTEVAL-CCA049V1isademonstrationboarddesignedfortheevaluation

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-7-12 13:52:01
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