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TCP8938

Miniature Circular Connectors

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HOSIDEN

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES ■ 30V, 7A, RDS(ON) = 26mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 38mΩ @VGS = 4.5V. ■ -30V, -6A, RDS(ON) = 38mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 57mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Le

CET

华瑞

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 Ampere P-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6 Ampere FEATURE ​​​​​​​* Small flat package. (SO-8 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * Lead free product is acquired. * High power and current handing capability. APPLICATION * Servo

CHENMKO

力勤

Advanced PMU for Marvell Aspen

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ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc

技领半导体技领半导体(上海)有限公司

Advanced PMU for Marvell Aspen

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ACTIVE-SEMIActive-Semi, Inc

技领半导体技领半导体(上海)有限公司

更新时间:2025-12-19 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
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SMD
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