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TC58DVM92A1FTI0

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

512-MBIT (64M u 8 BITS) CMOS NAND E2PROM DESCRIPTION The device is a single 3.3 V 512-Mbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as 528 bytes u 32 pages u 4096 blocks. The device has a 528-byte static register which allows program

TOSHIBA

东芝

TC58DVM92A1FTI0

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TOSHIBA

东芝

TC58DVM92A1FTI0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC58DVM92A1FTI0

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

更新时间:2025-9-26 22:59:00
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