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MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FEATURES  High-speed switching, Low On-resistance  1.2V Low gate drive  ESD protected  Available in SC89-3 package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)=

AITSEMI

创瑞科技

100V N-Channel MOSFET

General Description The AO4452 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applicatio

AOSMD

万国半导体

Pushbutton valve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

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更新时间:2025-12-29 13:34:01
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    TC4452VPA,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅:一七五五二三二五七五 /企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

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    SOIC-8 门驱动器 , 6 A 门驱动器 , SOIC-16 SMD/SMT 门驱动器 , PDIP-20 门驱动器 , 2 Output MOSFET Gate Drivers 2 Driver 门驱动器 , SOT-23-5 SMD/SMT 1 Driver 门驱动器

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