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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-16 22:48:01
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