| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.795Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.28mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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2020-11-13T835H-6I（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电压-断态：600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）：8A 电压（Vgt）（最大值）：1V 电流50，60Hz（Itsm）：80A，84A 电流（Igt）（最大值）：35mA 电流-保持（Ih）（最大值）：35mA 工作温度：-40°C~150°C 安装类型：通孔 封装：TO-220-3
2020-3-6
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