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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: SingleNChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancement-ModeMOSFET

文件:102.05 Kbytes Page:5 Pages

GE

GE Industrial Company

GE

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件:243.87 Kbytes Page:4 Pages

GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

GTM
更新时间:2025-7-15 17:03:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GC
2023+
TO-252
18863
一级代理优势现货,全新正品直营店
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RUHIPS
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NA/
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    2021-1-15
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    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • T835H-6I(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 分立半导体产品 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压(Vgt)(最大值):1V 电流50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流(Igt)(最大值):35mA 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 工作温度:-40°C~150°C 安装类型:通孔 封装:TO-220-3

    2020-3-6